- 单片温度补偿齐纳参考芯片
•所有路口全面保护与二氧化硅
• 8.5 & 9.1伏的齐纳电压+ 5 ％
•电气上等同于1N4765 THRU 1N4772A和
1N4775 THRU 1N4782A系列
•兼容所有的引线键合和芯片粘接技术，
回流焊的例外
CD4765通CD4767A
和
CD4770通CD4772A
和
CD4775通CD4777A
和
CD4780通CD4782A
38
23
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
38
TYPE
数
齐纳
电压
VZ @我
ZT
（注3）
伏
CD4765
CD4765A
CD4766
CD4766A
CD4767
CD4767A
CD4770
CD4770A
CD4771
CD4771A
CD4772
CD4772A
CD4775
CD4775A
CD4776
CD4776A
CD4777
CD4777A
CD4780
CD4780A
CD4781
CD4781A
CD4782
CD4782A
9.1
9.1
9.1
9.1
9.1
9.1
9.1
9.1
9.1
9.1
9.1
9.1
8.5
8.5
8.5
8.5
8.5
8.5
8.5
8.5
8.5
8.5
8.5
8.5
mA
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
齐纳
TEST
当前
I
ZT
最大
最大
电压
温度
有效
齐纳
温度
范围
温度
阻抗
稳定性
系数
ZZT
∆V
ZT
最大
（注1 ）
欧
350
350
350
350
350
350
200
200
200
200
200
200
350
350
350
350
350
350
200
200
200
200
200
200
（注2 ）
mV
68
141
34
70
14
28
68
141
34
70
14
28
64
132
32
66
13
26
64
132
32
66
13
26
0
-55
0
-55
0
-55
0
-55
0
-55
0
-55
0
-55
0
-55
0
-55
0
-55
0
-55
0
-55
°C
to
to
to
to
to
to
to
to
to
to
to
to
to
to
to
to
to
to
to
to
to
to
to
to
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
75
100
75
100
75
100
75
100
75
100
75
100
75
100
75
100
75
100
75
100
75
100
75
100
% / °C
0.01
0.01
0.005
0.005
0.002
0.002
0.01
0.01
0.005
0.005
0.002
0.002
0.01
0.01
0.005
0.005
0.002
0.002
0.01
0.01
0.005
0.005
0.002
0.002
23
电气特性
@ 25 ° C，除非另有规定ED 。
图1
设计数据
金属化：
上图： C（阴极） ................. ..Al
A（阳极） .......................铝
返回： ......................................金
AL厚度.......
.....25,000
Å
民
金厚...
.....4,000
Å
民
切屑厚度.............
..... 10密耳
电路布局数据：
背侧必须是电
孤立的。
背面是不是阴极。
对于齐纳二极管的阴极操作
必须操作正
相对于阳极。
注1
齐纳阻抗叠加在LZT 60Hz的交流电有效值衍生当前
等于LZT的10％。
观察到的在整个温度范围内，即允许的最大变化，
二极管电压不会超过特定网络连接编毫伏在任何离散的温度
与既定的限制，根据JEDEC标准5号。
齐纳电压范围为±5％
公差：
所有
外形尺寸+ 2密耳
注2
注3
COREY街22号， MELROSE ，马萨诸塞州02176
电话：（781 ） 665-1071
传真：（781 ） 665-7379
网站： http://www.cdi-diodes.com
电子信箱： mail@cdi-diodes.com
CDI-DIODE [ COMPENSATED DEUICES INCORPORATED ]
