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CD486B 参数 Datasheet PDF下载

CD486B图片预览
型号: CD486B
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内容描述: 通用硅二极管 [GENERAL PURPOSE SILICON DIODES]
分类和应用: 整流二极管
文件页数/大小: 2 页 / 74 K
品牌: CDI-DIODE [ COMPENSATED DEUICES INCORPORATED ]
 浏览型号CD486B的Datasheet PDF文件第2页  
•通用硅二极管
•所有路口全面保护与二氧化硅
•兼容所有的引线键合和芯片粘接技术
除回流焊
CD483B
CD485B
CD486B
CD645
CD5194通CD5196
最大额定值
工作温度: -65 ° C到+ 175℃
存储温度: -65 °C至+ 175℃
电气特性
@ 25℃ ,除非另有说明
24 MILS
12 MILS
TYPE
V( PK)
CD483B
CD485B
CD486B
CD645
CD5194
CD5195
CD5196
80
180
250
270
80
180
250
V( PK)
70
180
225
225
70
180
225
mA
200
200
200
400
200
200
200
mA
50
50
50
150
50
50
50
A
2
2
2
5
2
2
2
VF(1)
TYPE
V DC
CD483B
CD485B
CD486B
CD645
CD5194
CD5195
CD5196
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
-
-
-
-
-
-
-
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
IR1在VRWM
TA+25
°
C
nA的DC
25
25
25
50
25
25
25
IR2在VRM
TA+25
°
C
IR3在VRWM
TA+150
°
C
@VR
=4V
pF
2.0
µ
A
100
100
100
50
100
100
100
µ
直流
5
5
5
25
5
5
5
设计数据
金属化:
上图: (阳极) ....................铝
回: (阴极) ..............金
AL厚度
............ 25,000敏
的金层厚度
........ 4,000敏
注1
在100mA (脉冲),除了CD645
这也是以400mA电流(脉冲)
切屑厚度
.................. 10密耳
公差:
所有
尺寸± 2密耳
COREY街22号, MELROSE ,马萨诸塞州02176
电话:(781 ) 665-1071
传真:(781 ) 665-7379
网站: http://www.cdi-diodes.com
电子信箱: mail@cdi-diodes.com
12 MILS
VRM
VRWM
IO
IO
TA=+150
°
C
IFSM
TP = 1/120 S
TA=25
°
C
24 MILS