• 1N821 THRU 1N829 AVAILABLE IN
JANHC和JANKC
每MIL -PRF-一百五十九分之一万九千五
- 单片温度补偿齐纳参考芯片
•所有路口全面保护与二氧化硅
- 电相当于1N821直通1N829
•兼容所有的引线键合和芯片粘接技术，
回流焊的例外
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
CD821
THRU
CD829A
反向漏电流
l
R
= 2
µ
A @ 25℃ & VR = 3伏直流
22密耳
电气特性
@ 25 ° C，除非另有规定ED 。
-55 ℃至+ 100 ℃
电压
有效
温度温度
稳定性
系数
∆V
ZT
（注2 ）
mV
96
96
48
48
19
19
20
9
9
10
5
5
% / °C
0.01
0.01
0.005
0.005
0.002
0.002
0.002
0.001
0.001
0.001
0.0005
0.0005
CDI
TYPE
数
齐纳
电压
V
ZT
@I
ZT
齐纳
TEST
当前
I
ZT
最大
齐纳
阻抗
ZZT
（注1 ）
背面是不是阴极
且必须是电绝缘的
T =金属化测试点
伏
CD821
CD821A
CD823
CD823A
CD825
CD825A
CD826
CD827
CD827A
CD828
CD829
CD829A
5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
6.2 - 6.9
5.9 - 6.5
5.9 - 6.5
mA
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
欧
15
10
15
10
15
10
15
15
10
15
15
10
设计数据
金属化：
上图： C（阴极） ...................铝
A（阳极） ......................铝
返回： .......................................金
AL厚度......... 25000
Å
民
的金层厚度...... 4000
Å
民
切屑厚度。
.............. 10密耳
电路布局数据：
背侧必须是电
孤立的。
背面是不是阴极。
齐纳操作阴极必
操作方面积极
阳极。
公差：
所有
外形尺寸+ 2密耳
注1
齐纳阻抗叠加在LZT 60Hz的交流电有效值衍生
电流等于LZT的10％。
观察到在整个温度的最大允许变化
的范围内，即，二极管电压不会超过规定的毫伏任意
既定的限制之间的分立式温度，根据JEDEC
标准5号。
注2
COREY街22号， MELROSE ，马萨诸塞州02176
电话：（781 ） 665-1071
传真：（781 ） 665-7379
网站： http://www.cdi-diodes.com
电子信箱： mail@cdi-diodes.com
CDI-DIODE [ COMPENSATED DEUICES INCORPORATED ]
