硅平面齐纳二极管
1N5223B到1N5279B
2.7V至180V
DO- 35
轴向玻璃封装
电气特性（T
a
= 25ºC除非另有规定）
在我正向电压
F
=200mA
V
F
<1.1 V
没有后缀+ 20 ％的公差，后缀“A” + 10 ％容差和后缀'B' + 5 ％容差
设备
（注1 ）
公称
电压
V
Z
@ I
ZT
TEST
当前
I
ZT
最大齐纳
阻抗
一& B后缀只有
（注2 ）
Z
ZT
@
Z
ZK
@
I
ZT
I
ZK
=0.25mA
Ω
Ω
400
2300
500
2600
750
3000
900
4000
1100
4500
1300
4500
1500
5000
1700
5500
1900
5500
2200
6000
最大反向漏电流
I
R
在V
R
最大齐纳
电压
TEMP 。 COEFF 。
θ
Vz的（注3）
（仅A&B后缀）
α
V
Z
(% /ºC)
0.099
0.099
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
1N5270B
1N5271B
1N5272B
1N5273B
1N5274B
1N5275B
1N5276B
1N5277B
1N5278B
1N5279B
注1 ：
注2 ：
V
91
100
110
120
130
140
150
160
170
180
mA
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.90
0.85
0.80
0.74
0.68
µ
A
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
69
76
84
91
99
106
114
122
129
137
使器件能够用于稳定后的电气特性进行测量
20秒搭载有从外壳一个9.525毫米（ 8"分之3 ）最小引线长度时。
齐纳阻抗是从50赫兹的交流电压，这会导致当交流电流而得
具有有效值等于直流齐纳电流的10％ （我
ZT
还是我
ZK
）叠加
关于我
ZT
还是我
ZK
齐纳阻抗的测量是在两个点，以确保在一个锋利的膝
击穿曲线，由此，消除了不稳定的单元。
温度系数（ θV
z
).
θ
在测试条件为温度系数如下。
一。我
ZT
= 7.5毫安，T
j
=25ºC
T2 = 125℃ （ 1N5223A ，B通1N5242A ， B）
B 。我
ZT
=额定我
ZT
, T
J
=25ºC
T2 = 125℃ （ 1N5243A ，B通1N5279A ， B）
器件进行温度读数brekdown电压稳定化之前施加的电流
在规定的环境Rwmerature
注3 ：
1N5223B_5279B Rev_2 080605E
大陆设备印度有限公司
数据表
第3 5
CDIL [ Continental Device India Limited ]
