大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
硅平面齐纳二极管
1N5223B到1N5279B
2.7V至180V
DO- 35
轴向玻璃封装
特点
与玻璃的齐纳二极管与双螺柱钝化在密封的玻璃封装结
提供优良的稳定性，可靠性和更好的功率耗散。
绝对最大额定值
描述
DC功耗
功率降额75℃以上
工作和存储温度
符号
P
D
T
英镑
价值
500
4.0
- 65 〜+ 200
单位
mW
毫瓦/℃
ºC
电气特性（T
a
= 25ºC除非另有规定）
在我正向电压
F
=200mA
V
F
<1.1 V
没有后缀+ 20 ％的公差，后缀“A” + 10 ％容差和后缀'B' + 5 ％容差
设备
（注1 ）
公称
电压
V
Z
在我
ZT
TEST
当前
I
ZT
最大齐纳
阻抗
一& B后缀只有
（注2 ）
Z
ZT
at
Z
ZK
at
I
ZT
I
ZK
=0.25mA
Ω
Ω
30
1300
30
1400
29
1600
28
1600
24
1700
23
1900
22
2000
19
1900
17
1600
11
1600
7
1600
7
1000
5
750
6
500
8
500
8
600
10
600
17
600
22
600
30
600
最大反向漏电流
I
R
在V
R
最大齐纳
电压
TEMP 。 COEFF 。
θ
Vz的（注3）
（仅A&B后缀）
α
V
Z
(% /ºC)
-0.080
-0.080
-0.075
-0.070
-0.065
-0.060
+/-0.055
+/-0.030
+/-0.030
0.038
0.038
0.045
0.050
0.058
0.062
0.065
0.068
0.075
0.076
0.077
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
V
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
µ
A
75
75
50
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
1N5223B_5279B Rev_2 080605E
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数据表
第1页5
CDIL [ Continental Device India Limited ]
