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    2N3020 参数 Datasheet PDF下载

    2N3020图片预览
    型号： 2N3020
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面外延晶体管 [NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 185 K
    品牌： CDIL [ Continental Device India Limited ]
     浏览型号2N3020的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N3020的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N3020的Datasheet PDF文件第4页  
    大陆设备印度有限公司
    在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
    NPN硅平面外延晶体管
    2N3019
    2N3020
    TO-39
    金属罐包装
    专为通用放大器和高速开关应用的使用
    这些晶体管是也适合于高电流放大器的应用
    绝对最大额定值（Ta = 25℃除非另有规定）
    描述
    集电极 - 发射极电压
    集电极 - 基极电压
    发射极电压
    集电极电流
    功率耗散@大= 25° Ç
    功耗@ T = 25℃
    结温
    储存温度
    热阻
    结到环境
    结到外壳
    符号
    V
    首席执行官
    V
    CBO
    V
    EBO
    I
    CM
    P
    D
    T
    j
    T
    英镑
    R
    号（j -a）的
    R
    日（J -C ）
    价值
    80
    140
    7
    1
    800
    5
    +200
    -65到+200
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    W
    ºC
    ºC
    218.7
    35
    摄氏度/ W
    摄氏度/ W
    电气特性（Ta = 25℃除非另有规定）
    描述
    集电极发射极击穿电压
    集电极基极击穿电压
    发射极基极击穿电压
    收藏家泄漏电流
    射极漏泄电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    符号
    BV
    首席执行官
    *
    BV
    CBO
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    *
    V
    BE （ SAT ）
    *
    测试条件
    I
    C
    =30mA,I
    B
    =0
    I
    C
    = 100μA ，我
    E
    =0
    I
    E
    = 100μA ，我
    C
    =O
    V
    CB
    = 90V ，我
    E
    =0
    V
    CB
    = 90V ，我
    E
    = 0 ，TA = 150℃
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    =15mA
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =50mA
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    =15mA
    民
    80
    140
    7
    10
    10
    10
    0.2
    0.5
    1.1
    最大
    单位
    V
    V
    V
    nΑ
    µA
    nΑ
    V
    V
    V
    基极发射极饱和电压
    大陆设备印度有限公司
    数据表
    第1页4

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