大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克＃ QSC / L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
NPN高压硅晶体管
2N3439
2N3440
TO-39
高电压的高压&使用的硅平面晶体管
高功率放大器的应用。
绝对最大额定值（Ta = 25℃ ，除非另有规定）
描述
符号
2N3439
VCEO
350
集电极发射极电压
VCBO
450
集电极基极电压
VEBO
7.0
发射极基极电压连续
IC
1.0
连续集电极电流
IB
0.5
基极电流
PD
1.0
功率耗散@ TA = 25摄氏度
5.7
减免上述25℃
PD
5.0
功耗@ TC = 25摄氏度
28.6
减免上述25℃
TJ ， TSTG
-65到+200
工作和存储结
温度范围
热阻
Rth的第（j-一）
175
结到环境
RTH （J -C ）
35
结到外壳
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
描述
符号
测试条件
VCEO （ SUS） *
IC=50mA,IB=0
集电极发射极电压
ICBO
VCB = 360V ， IE = 0
集电极切断电流
VCB = 250V ， IE = 0
ICEO
VCE = 300V ， IB = 0
VCE = 200V ， IB = 0
ICEX
VCE=450V,VBE=1.5V
VCE=300V,VBE=1.5V
IEBO
VEB = 6V ， IC = 0
射极切断电流
的hFE *
IC=2mA,VCE=10V
直流电流增益
IC=20mA,VCE=10V
IC=50mA,IB=4mA
集电极 - 发射极饱和电压
VCE （星期六） *
VBE （星期六） *
IC=50mA,IB=4mA
基极发射极饱和电压
2N3440
250
300
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/摄氏度
W
毫瓦/摄氏度
摄氏度
摄氏度/ W
摄氏度/ W
2N3439
>350
<20
-
<20
-
<500
-
<20
>30
40-160
<0.5
<1.3
2N3440
>250
-
<20
-
<50
-
<500
<20
-
40-160
<0.5
<1.3
单位
V
uA
uA
uA
uA
uA
uA
uA
V
V
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3
CDIL [ Continental Device India Limited ]
