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2N6708 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N6708
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内容描述: PNP硅平面外延型晶体管 [PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 133 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
PNP硅平面外延型晶体管
2N6708
TO-237
塑料包装
通用中等功率放大器
绝对最大额定值(Ta = 25℃ )
描述
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极电压
I
C
连续集电极电流
P
D
总功耗
T
j
, T
英镑
工作和存储结
温度范围
价值
60
45
5
1.5
850
-55到+150
单位
V
V
V
A
mW
ºC
电气特性( TA = 25 º C除非另有说明)
描述
符号测试条件
V
首席执行官
I
C
= 10毫安,我
B
=0
集电极 - 发射极电压
V
CBO
集电极 - 基极电压
I
C
= 100μA ,我
E
=0
V
EBO
EmitterBase电压
I
E
= 10μA ,我
C
=0
I
CBO
V
CB
= 60V ,我
E
=0
收藏家切断电流
I
EBO
V
EB
= 4V ,我
C
=0
发射器切断电流
h
FE
I
C
=50mA,V
CE
=2V
直流电流增益
I
C
=250mA,V
CE
=2V
I
C
=500mA,V
CE
=2V
V
CE ( SAT )
I
C
=500mA,I
B
=50mA
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=1A,I
B
=100mA
f
T
V
CE
= 10V ,我
C
=50mA,
跃迁频率
45
60
5
最大
0.1
0.1
40
40
25
250
0.5
1
50
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
兆赫
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3