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2N917 参数 Datasheet PDF下载

2N917图片预览
型号: 2N917
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内容描述: NPN硅平面晶体管 [NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 136 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
NPN硅平面晶体管
2N917
TO-72
金属罐包装
晶体管放大器
绝对最大额定值
描述
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
连续集电极电流 -
功率耗散@大= 25℃
减免上述25℃
功率耗散@ T
C
=25ºC
减免上述25℃
操作&存储结
温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
价值
30
15
3
50
200
1.14
300
1.71
-65到+200
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/℃
mW
毫瓦/℃
ºC
电气特性(Ta = 25℃除非另有规定)
描述
符号测试条件
集电极发射极电压维持
V
CEO ( SUS )
I
C
= 3毫安,我
B
=0
集电极 - 基极电压
发射极电压
收藏家切断电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
V
CBO
V
EBO
I
CBO
h
FE
V
BE ( SAT )
I
C
= 1μA ,我
E
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 15V ,我
E
=0
VCB = 15V , IE = 0 , TA = 150°C
I
C
= 3mA电流, V
CE
=1V
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
15
30
3.0
-
-
20
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
1.0
1.0
200
0.4
1.0
单位
V
V
V
nA
µA
V
V
V
CE ( SAT )
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页4