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BC172C 参数 Datasheet PDF下载

BC172C图片预览
型号: BC172C
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内容描述: NPN硅平面型晶体管 [NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 221 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克# QSC / L- 000019.2
NPN硅平面型晶体管
BC171 , A,B
BC172 , A,B ,C
BC174 , A,B
TO-92
塑料包装
C
BE
放大器晶体管
绝对最大额定值(Ta = 25℃除非另有规定)
描述
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极电压
连续集电极电流
器件总功耗@大= 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ T = 25℃
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
热阻
结到环境
结到外壳
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
BC174 BC171
65
80
45
50
6
100
350
2.8
1.0
8.0
-55到+150
BC172
25
30
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/℃
W
毫瓦/℃
ºC
R
号(j -a)的
R
日(J -C )
357
125
摄氏度/ W
摄氏度/ W
电气特性(Ta = 25℃除非另有规定)
描述
符号测试条件
集电极发射极击穿
电压
BC174
BC171
BC172
发射极基极击穿
电压
所有
收藏家切断电流
BC174
BC171
BC172
I
CES
V
CE
=70V, V
BE
= 0
V
CE
=50V, V
BE
= 0
V
CE
=35V, V
BE
= 0
V
CE
=30V, V
BE
= 0,
TA = 125℃
大陆设备印度有限公司
价值
典型值
最大
单位
BV
首席执行官
I
C
=2mA,I
B
=0
65
45
25
V
V
V
BV
EBO
I
E
= 100μA ,我
C
=0
6
15
15
15
4
V
µA
数据表
第1页4