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BC184 参数 Datasheet PDF下载

BC184图片预览
型号: BC184
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内容描述: NPN硅平面外延晶体管 [NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 69 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克# QSC / L- 000019.2
NPN硅平面外延晶体管
BC184
BC184B
BC184C
TO-92
塑料包装
放大器晶体管
绝对最大额定值(Ta = 25℃除非另有规定)
描述
符号
V
首席执行官
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流
功率耗散@大= 25℃
减免上述25℃
功耗@ T = 25℃
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
热阻
结到环境
结到外壳
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
价值
30
45
6
100
350
2.8
1
8
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/℃
W
毫瓦/℃
ºC
R
号(j -a)的
R
日(J -C )
357
125
摄氏度/ W
摄氏度/ W
电气特性(Ta = 25℃除非另有规定)
描述
符号测试条件
I
C
=2mA,I
B
=0
V
首席执行官
30
集电极发射极电压
V
CBO
I
C
=10µA.I
E
=0
集电极基极电压
45
发射极 - 基极电压
集电极切断电流
射极切断电流
直流电流增益
BC184
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
基极发射极电压
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
I
E
= 100μA ,我
C
=0
V
CB
=30V,I
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
I
C
=10µA,V
CE
=5V
I
C
=2mA,V
CE
=5V
I
C
=100mA*,V
CE
=5V
I
C
=10mA,I
B
=0.5mA
I
C
=100mA,I
B
=5.0mA*
I
C
=100mA,I
B
=5mA*
I
C
=2mA,V
CE
=5V
I
C
=100µA,V
CE
=5V
I
C
=100mA,V
CE
=5V*
100
240
130
6
典型值
最大
单位
V
V
V
0.2
15
15
800
nA
nA
0.07
0.2
0.55
0.62
0.5
0.83
0.25
0.6
1.2
0.7
V
V
V
V
V
V
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页4