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BCX38B 参数 Datasheet PDF下载

BCX38B图片预览
型号: BCX38B
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内容描述: NPN硅平面外延达林顿晶体管 [NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管达林顿晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 95 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 , ISO 9001和ISO 14001认证的公司
NPN硅平面外延达林顿晶体管
BCX38A
BCX38B
BCX38C
TO-92
塑料包装
E
BC
绝对最大额定值
描述
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
功率耗散@ T
a
=25ºC
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
CM
I
C
P
D
T
j
, T
英镑
价值
60
80
10
2
800
625
- 55 〜+ 200
单位
V
V
V
A
mA
mW
ºC
电气特性(T
a
= 25ºC除非另有规定)
测试条件
描述
符号
I
C
= 10毫安,我
B
=0
V
CEO ( SUS)
集电极发射极电压维持
V
CBO
I
C
= 10μA ,我
E
=0
集电极 - 基极电压
发射极电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极电压
直流电流增益
V
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
*V
BE(上)
*h
FE
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 60V ,我
E
= 0
V
EB
= 8V ,我
C
= 0
I
C
= 800毫安,我
B
=8mA
I
C
= 800毫安,V
CE
=5V
BCX38A
I
C
= 100mA时V
CE
=5V
I
C
= 500毫安,V
CE
=5V
BCX38B
I
C
= 100mA时V
CE
=5V
I
C
= 500毫安,V
CE
=5V
BCX38C
I
C
= 100mA时V
CE
=5V
I
C
= 500毫安,V
CE
=5V
*脉冲条件:脉冲宽度= 300μS ,占空比<2 %
µ
60
80
10
最大
单位
V
V
V
100
100
1.25
1.80
500
1000
2000
4000
5000
10000
nA
nA
V
V
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3