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BD410 参数 Datasheet PDF下载

BD410图片预览
型号: BD410
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内容描述: NPN外延硅功率晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 125 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克# QSC / L- 000019.2
NPN外延硅功率晶体管
BD410
TO-126
塑料包装
EC
B
绝对最大额定值
描述
集电极基极电压
集电极发射极电压
发射极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
总功率耗散@ TA = 25 ºC
@ TC = 25 ºC
存储温度范围
从案例铅温度1.6mm
10秒。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j,
T
英镑
T
L
价值
500
325
5.0
1.0
1.5
1.25
20
- 55〜 + 125
260
单位
V
V
V
A
W
ºC
ºC
电气特性(Ta = 25 ° C除非另有说明)
描述
收藏家切断电流
集电极基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
直流电流增益
符号
I
CES
V
CBO
V
首席执行官*
V
EBO
h
FE
测试条件
V
CE
=300V,
IB
=0
I
C
= 500μA ,我
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
E
= 50μA ,我
C
=0
I
C
= 5毫安,V
CE
=10V
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
I
C
= 100mA时V
CE
=10V
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
500
325
5
25
30
20
典型值
最大
100
单位
µA
V
V
V
240
1.5
0.5
V
V
基极发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
动态特性
描述
输出电容
输入电容
*脉冲测试TP = 300μS ,占空比Cycle<2 %
V
BE (SAT)
V
CE (SAT)
符号
测试条件
C
敖包
I
E
=0, V
CB
= 10V , F = 1MHz的
C
IBO
I
E
=0, V
EB
= 0.5V , F = 1MHz的
典型值
5.5
90
最大
单位
pF
pF
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3