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BF422 参数 Datasheet PDF下载

BF422图片预览
型号: BF422
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内容描述: NPN硅平面外延型晶体管 [NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 77 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
 浏览型号BF422的Datasheet PDF文件第2页  
TRANSYS
电子
L I M I T E ð
NPN硅平面外延型晶体管
BF422
(BPL)
TO-92
BCE
专为高电压视频放大器,电视接收机。
绝对最大额定值( TA = 25 ℃)
描述
符号
价值
VCBO
250
集电极基极电压
VCEO
250
集电极发射极电压
VEBO
5.0
发射极基极电压连续
IC
500
连续集电极电流
PD
900
功率耗散@ TA = 25℃
7.2
减免上述25℃
PD
2.75
功率耗散@ T C = 25℃
22
减免上述25℃
TJ , TSTG
-55到+150
操作&存储结
温度范围
热阻
RTH (J -C )
45
从结点到外壳
Rth的第(j-一)
156
从结点到环境
电气特性(Ta = 25℃除非另有说明)
价值
描述
符号测试条件
最大
VCEO
IC=1.0mA,IB=0
250
-
集电极发射极电压
VCBO
IC=100uA.IE=0
250
-
集电极基极电压
VEBO
IE =为100uA , IC = 0
5.0
-
发射极 - 基极电压
ICBO
VCB = 200V , IE = 0
-
10
集电极切断电流
IEBO
VEB=5.0V,IC=0
100
射极切断电流
VBE (星期六) * IC = 20mA时, IB = 2毫安
-
2
基极发射极(星期六)电压
VCE (星期六) * IC = 20mA时, IB = 2毫安
-
0.5
集电极 - 发射极(星期六)电压
的hFE *
IC = 25毫安, VCE = 20V
60
120
直流电流增益
动态特性
ft
IC=10mA,VCE=10V
60
-
晶体管频率
f=50MHz
CRE
VCB = 30V , F = 1MHz的
1.6
反馈电容
-
*脉冲测试:脉冲宽度= 300US ,占空比= 2 %
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/摄氏度
W
毫瓦/摄氏度
摄氏度
摄氏度/ W
摄氏度/ W
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
兆赫
pF