BF494 NPN晶体管RF
2006年7月
BF494
NPN晶体管RF
tm
TO-92
1.集电极2.发射基地3
T
a
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
结温
存储温度范围
参数
价值
20
30
5.0
30
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
mA
°C
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1 ）这些等级是基于对150度C的最高结温
2 ）这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比操作的应用进行咨询
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
参数
器件总功耗，由R
θJA
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
T
C
= 25 ° C除非另有说明
价值
350
2.8
125
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
电气特性*
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CES
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
（上）
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极BreakdownVoltage
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电流可持续
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
条件
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 40V, V
EB
= 0V
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 5毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安
分钟。
20
30
5.0
马克斯。
单位
V
V
V
10
67
222
0.2
0.92
650
740
nA
V
V
mV
*直流项目是由脉冲测试测试：脉冲Width300us ，职务Cycle2 ％
©2006仙童半导体公司
1
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BF494版本A
CDIL [ Continental Device India Limited ]
