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BU109 参数 Datasheet PDF下载

BU109图片预览
型号: BU109
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内容描述: NPN高压硅功率晶体管 [NPN HIGH VOLTAGE SILICON POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管高压局域网
文件页数/大小: 3 页 / 191 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克# QSC / L- 000019.3
NPN高压硅功率晶体管
BU109
TO-3
金属罐包装
电视和CRT的水平偏转输出级
绝对最大额定值(Ta = 25℃除非另有规定)
描述
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极电压
集电极发射极电压(V
BE
= -1.5V)
集电极电流
集电极电流峰值(重复)
集电极电流峰值( t≤10ms )
基极电流
总功率耗散@ Tc<25ºC
Juntion温度
储存温度
热阻
结到环境
结到外壳
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
CEV
I
C
I
CM
I
CM
I
B
P
合计
T
j
T
英镑
价值
150
330
6.0
330
7.0
10.0
15.0
4.0
60
150
-65到+ 150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
W
ºC
ºC
R
号(j -a)的
R
日(J -C )
70
2.08
摄氏度/ W
摄氏度/ W
电气特性(Ta = 25℃除非另有规定)
描述
收藏家切断电流
符号
I
CES
I
CES
I
CES
发射器切断电流
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
跃迁频率
关闭时间
I
EBO
V
CE ( SAT )
*
V
BE ( SAT )
*
f
T
t
关闭
测试条件
V
CE
=330V, V
BE
=0
V
CE
=200V, V
BE
=0
V
CE
=200V, V
BE
=0
T
C
=150ºC
V
EB
= 6V ,我
C
=0
I
C
=5A,I
B
=0.5A
I
C
=5A,I
B
=0.5A
I
C
= 0.5A ,V
CE
=10V
I
C
= 5A ,我
B
结束= 0.5A
最大
5.0
100
1.0
1.0
1.0
1.2
10
0.75
单位
mA
µA
mA
mA
V
V
兆赫
us
*脉冲测试:脉冲宽度= 300毫秒,占空比= 1.5 %
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3