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C44C11 参数 Datasheet PDF下载

C44C11图片预览
型号: C44C11
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内容描述: NPN硅外延功率晶体管 [NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 101 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 , ISO 9001和ISO 14001认证的公司
NPN硅外延功率晶体管
C44C8, C44C11
TO - 220
塑料包装
中功率开关和放大器的应用
补充C45C系列
绝对最大额定值
描述
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
山顶*
基极电流连续
功率耗散T
A
=25ºC
T
C
=25ºC
操作&存储结
温度范围
热阻
结到环境
结到外壳
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
Ĵ , TSTG
C44C8
70
60
5
4
6
2
1.67
30
-55到+150
C44C11
90
80
单位
V
V
V
A
A
W
ºC
R
th
第(j-一)
R
th
(J -C )
75
4.2
摄氏度/ W
摄氏度/ W
电气特性(TC = 25° C除非另有说明)
描述
集电极 - 发射极电压Sustaing
符号测试条件
V
CEO ( SUS) *
I
C
= 100mA时我
B
=0
C44C8
C44C11
I
CES
V
CE
=额定V
CES
I
EBO
V
EB
= 5V ,我
C
=0
h
FE
*
I
C
= 0.2A ,V
CE
=1V
I
C
= 2A ,V
CE
=1V
V
CE (SAT) *
I
C
= 1A ,我
B
=50mA
V
BE (SAT) *
I
C
= 1A ,我
B
=100mA
典型值
最大
单位
收藏家切断电流
发射器切断电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
动态特性
集电极电容
电流增益带宽积
开关特性
描述
60
80
-
-
100
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
100
220
-
0.5
1.3
V
V
µA
µA
V
V
C
CBO
f
T
V
CB
= 10V ,我
E
=0
f=1MHz
V
CE
= 4V ,我
C
=20mA
-
-
-
50
100
-
pF
兆赫
符号测试条件
-
-
典型值
100
500
75
最大
-
-
-
单位
ns
ns
ns
t
d
+ t
r
I
C
= 1A ,我
B1
=1
B2
=0.1A
延迟时间+上升时间
t
s
V
CC
= 30V , TP = 25μs的
贮存时间
t
f
下降时间
*脉冲测试脉冲宽度= 300毫秒,占空比Cycle<2 %
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3