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CC5551 参数 Datasheet PDF下载

CC5551图片预览
型号: CC5551
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内容描述: 互补NPN硅高压晶体管 [NPN COMPLEMENTARY SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管高压
文件页数/大小: 4 页 / 52 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克# QSC / L- 000019.2
互补NPN硅高压晶体管
CC5551
(9AW)
TO-92
BCE
标记: NCC
5551
高压NPN晶体管通用和电话应用
绝对最大额定值
描述
符号
价值
V
首席执行官
集电极发射极电压
160
V
CBO
集电极基极电压
180
V
EBO
发射极基极电压连续
6.0
I
C
连续集电极电流
600
P
D
功率耗散@大= 25℃
625
减免上述25℃
5.0
P
D
功耗@ TC = 25℃
1.5
减免上述25℃
12
T
j
结温
150
T
英镑
储存温度
-55到+150
热阻
R
日(J -C )
结到外壳
125
R
号(j -a)的(1)
结到环境
357
(1) R
号(j -a)的
度用焊接到一个典型的印刷电路板的装置
电气特性(Ta = 25℃除非另有规定)
描述
符号测试条件
V
首席执行官
I
C
=1mA,I
B
=0
集电极发射极电压
V
CBO
集电极基极电压
I
C
=100µA.I
E
=0
V
EBO
发射极基极电压连续
I
E
= 10μA ,我
C
=-0
I
CBO
V
CB
= 160V ,我
E
=0
集电极切断电流
T
a
=100°C
V
CB
= 160V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
I
C
=1mA,V
CE
=5V
I
C
=10mA,V
CE
=5V
I
C
=50mA,V
CE
=5V
I
C
=10mA,I
B
=1mA
I
C
=50mA,I
B
=5mA
I
C
=10mA,I
B
=1mA
I
C
=50mA,I
B
=5mA
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
°C
° C / W
° C / W
160
180
6.0
-
典型值
-
-
-
-
最大
-
-
-
50
单位
V
V
V
nA
射极切断电流
直流电流增益
I
EBO
h
FE *
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
V
CE (SAT) *
V
BE (SAT) *
-
-
80
80
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
50
-
320
-
0.15
0.2
1.0
1.0
µA
nA
V
V
V
V
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页4