欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

CD9012H 参数 Datasheet PDF下载

CD9012H图片预览
型号: CD9012H
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP硅平面晶体管 [PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 89 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
 浏览型号CD9012H的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CD9012H的Datasheet PDF文件第3页  
大陆设备印度有限公司
在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
PNP硅平面晶体管
CD9012
TO-92
CBE
通用音频放大器应用。
绝对最大额定值
描述
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极电压
集电极电流
集电极耗散功率
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PC
TJ , TSTG
价值
30
40
5.0
500
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
摄氏度
电气特性(Ta = 25℃除非另有说明)
描述
符号测试条件
典型值
VCEO
IC = 1mA时, IB = 0
30
-
集电极发射极电压
VCBO
IC = 100uA的, IE = 0
40
-
集电极基极电压
VEBO
IE =为100uA , IC = 0
5.0
-
发射极电压
ICBO
VCB = 25V , IE = 0
-
-
收藏家切断电流
IEBO
VEB = 3V , IC = 0
-
-
发射器切断电流
的hFE
IC = 50mA时VCE = 1V *
64
-
直流电流增益
IC=500mA,VCE=1V
40
-
-
集电极 - 发射极饱和电压
VCE (星期六) IC = 150毫安, IB = 15毫安
IC=500mA,IB=50mA
-
-
VBE (星期六) IC = 150毫安, IB = 15毫安
-
-
基极发射极饱和电压
IC=500mA,IB=50mA
-
-
动态特性
COB
VCB=10V,f=1MHz
-
-
输出电容
ft
VCE = 10V , IC = 50mA时
200
-
跃迁频率
f=100MHz
NF
VCE = 10V , IC = 1毫安
-
-
噪声系数
f=1KHz
分类的hFE *
D / E / F = 64吨G / H / I = 118〜 305 :
Ĵ 278至465
最大
-
-
-
100
100
465
0.20
0.60
1.0
1.2
10
-
6.0
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
pF
兆赫
dB
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3