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CD9013 参数 Datasheet PDF下载

CD9013图片预览
型号: CD9013
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内容描述: NPN硅平面晶体管 [NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 155 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
NPN硅平面晶体管
CD9013
TO-92
塑料包装
BC
E
通用音频放大器应用
绝对最大额定值(T
a
= 25 ° C除非另有说明)
价值
描述
符号
V
首席执行官
30
集电极 - 发射极电压
V
CBO
40
集电极 - 基极电压
V
EBO
5
发射极电压
连续集电极电流
集电极耗散功率
工作和存储结
温度范围
I
C
P
C
T
j
, T
英镑
500
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
ºC
电气特性(T
a
= 25 ° C除非另有说明)
测试条件
描述
符号
I
C
= 1mA时,我
B
=0
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
CBO
I
C
= 100μA ,我
E
=0
集电极 - 基极电压
发射极电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
动态特性
输出电容
跃迁频率
噪声系数
*h
FE
分类
V
EBO
I
CBO
I
EBO
*h
FE
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
I
E
= 100μA ,我
C
=0
V
CB
= 25V ,我
E
= 0
V
BE
= 3V ,我
C
= 0
V
CE
= 1V ,我
C
=50mA
V
CE
= 1V ,我
C
=500mA
I
C
= 150毫安,我
B
=15mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
I
C
= 150毫安,我
B
=15mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
30
40
5
最大
单位
V
V
V
100
100
64
40
0.2
0.6
1.0
1.2
10
6.0
J: 278 - 465
465
nA
nA
V
V
V
V
pF
兆赫
dB
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
C
ob
I
C
= 50mA时V
CE
= 10V , F = 100MHz的
f
T
200
V
CE
=10V,I
C
= 1mA时, F = 1KHz的
NF
D / E / F: 64 - 135
G / H / I : 118 - 305
CD9013Rev_1170603D
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页4