大陆设备印度有限公司
在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
NPN硅平面晶体管
CD9014
TO-92
CBE
绝对最大额定值
描述
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极电压
集电极电流
集电极耗散功率
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PC
TJ ， TSTG
价值
50
50
5.0
100
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
摄氏度
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
民
典型值
VCEO
IC = 1mA时， IB = 0
50
-
集电极发射极电压
VCBO
IC = 100uA的， IE = 0
50
-
集电极基极电压
VEBO
IE =为100uA ， IC = 0
5.0
-
发射极电压
ICBO
VCB = 50V ， IE = 0
-
-
收藏家切断电流
IEBO
VEB = 5V ， IC = 0
-
-
发射器切断电流
的hFE
IC=1mA,VCE=5V
60
-
直流电流增益
-
-
集电极 - 发射极饱和电压
VCE （星期六） IC = 100mA时IB = 5毫安
VBE （星期六） IC = 100mA时IB = 5毫安
-
-
发射基地饱和电压
动态特性
COB
VCB=10V,f=1MHz
-
-
输出电容
ft
VCE=5V,IC=10mA,
125
-
跃迁频率
f=100MHz
NF
VCE = 5V ， IC = 200uA
-
-
噪声系数
f=1KHz
分类的hFE
答： 60-150 ， B： 100-300 ， C： 200-600 ， D： 400-1000 ，
D1 ： 400-630 ， D2 ： 570-840 ， D3 ： 760-1000 ，电子邮件： >800
最大
-
-
-
50
50
1000
0.30
1.0
3.50
-
4.0
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
pF
兆赫
dB
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数据表
第1页3
CDIL [ Continental Device India Limited ]
