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    CD9018G 参数 Datasheet PDF下载

    CD9018G图片预览
    型号： CD9018G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面外延型晶体管 [NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 157 K
    品牌： CDIL [ Continental Device India Limited ]
     浏览型号CD9018G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CD9018G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CD9018G的Datasheet PDF文件第4页  
    大陆设备印度有限公司
    在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
    NPN硅平面外延型晶体管
    CD9018
    TO-92
    塑料包装
    E
    BC
    AM / FM功放， FM / VHF调谐器本振
    绝对最大额定值
    描述
    集电极 - 发射极电压
    集电极 - 基极电压
    发射极电压
    集电极电流
    功率耗散@ T
    a
    =25ºC
    结温
    存储温度范围
    符号
    V
    首席执行官
    V
    CBO
    V
    EBO
    I
    C
    P
    D
    T
    j
    T
    英镑
    价值
    15
    30
    5
    30
    400
    125
    - 55〜 + 125
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ºC
    ºC
    电气特性（T
    a
    = 25ºC除非另有规定）
    描述
    符号
    测试条件
    V
    首席执行官
    I
    C
    = 3毫安，我
    B
    =0
    集电极 - 发射极电压
    V
    CBO
    I
    C
    = 10μA ，我
    E
    =0
    集电极 - 基极电压
    V
    EBO
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    =0
    发射极电压
    收藏家切断电流
    发射器切断电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    动态特性
    描述
    输出电容
    跃迁频率
    噪声系数
    h
    FE
    排名Classfication
    秩
    D
    h
    FE
    29 - 44
    CD9018Rev_3 170403E
    民
    15
    30
    5
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （SAT）
    V
    CB
    = 15V ，我
    E
    = 0
    V
    EB
    = 3V ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =1mA
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =1mA
    29
    50
    100
    273
    0.5
    nA
    nA
    V
    符号
    C
    ob
    f
    T
    NF
    测试条件
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    =0,f=1MHz
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =5mA,
    f=100MHz
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =1mA,
    f=60MHz
    民
    典型值
    最大
    1.7
    单位
    pF
    兆赫
    600
    5.0
    dB
    E
    40 - 59
    F
    54 - 80
    G
    72 - 108
    H
    97- 146
    I
    132 - 198
    J
    182 - 273
    大陆设备印度有限公司
    数据表
    第1页4

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