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CFB810 参数 Datasheet PDF下载

CFB810图片预览
型号: CFB810
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内容描述: PNP硅塑力达林顿晶体管 [PNP SILICON PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管达林顿晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 44 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
 浏览型号CFB810的Datasheet PDF文件第2页  
大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克# QSC / L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
PNP硅塑力达林顿晶体管
CFB810
(9AW)
TO-220FP
标记: - CFB
810
设计用于继电器驱动器和电机驱动
绝对最大额定值(Ta = 25deg C)
描述
符号
价值
VCBO
110
集电极基极电压
VCEO
110
集电极发射极电压
VEBO
5.0
发射极电压
IC
8.0
集电极电流
ICP
12
t=50ms
IB
1.0
基极电流
2.0
集电极耗散功率@ TA = 25℃
PC
60
集电极耗散功率@ TC = 25℃
Tj
150
结温
TSTG
-55到+150
存储温度范围
电气特性(TA = 25℃除非指定)
描述
符号测试条件
典型值
VCEO
IC = 5毫安, IB = 0
110
-
集电极 - 发射极电压
ICBO
VCB = 110V , IE = 0
-
-
收藏家切断电流
IEBO
VEB=5V,IC=0
-
-
发射器切断电流
VCE (星期六) IC = 5A , IB = 5毫安
-
-
集电极 - 发射极饱和电压
的hFE
IC = 2A , VCE = 3V
1.0
-
直流电流增益
IC = 8A , VCE = 3V
1.0
-
动态特性
ft
VCE=12V,IC=0.5A,
-
100
跃迁频率
COB
VCB = 10V , IE = 0
-
110
集电极输出电容
f=1MHz
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
摄氏度
摄氏度
最大
-
100
3.0
2.5
20
-
-
-
单位
V
uA
mA
V
K
K
兆赫
pF
大陆设备印度有限公司
数据表
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