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CFC2026 参数 Datasheet PDF下载

CFC2026图片预览
型号: CFC2026
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内容描述: NPN硅平面功率晶体管 [NPN SILICON PLANAR POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 100 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 , ISO 9001和ISO 14001认证的公司
NPN硅平面功率晶体管
CFC2026
TO- 220FP全隔离
塑料包装
补充CFA1046
绝对最大额定值
描述
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
RMS的隔离电压(对于1秒,相对湿度
<30 % ,T
a
= 25
o
C)
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率@T
a
=25
o
C
@T
c
=25
o
C
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
** V
ISOL
(a)
(b)
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
价值
60
60
7.0
3500
1500
3.0
0.5
2.0
25
150
- 55〜 150
单位
V
V
V
V
RMS
V
RMS
A
A
W
W
ºC
ºC
** rms隔离电压: (一) 3500 V
RMS
与包中夹安装位置(B ) 1500 V
RMS
与套餐
在螺丝安装位置(对于1秒, RH<30 % ,T
a
= 25℃ ;脉冲测试:脉冲宽度<300μs ,职务Cycle<2 % )
µ
o
电气特性(T
a
= 25ºC除非另有规定)
描述
符号
测试条件
I
CBO
V
CB
= 60V ,我
E
=0
收藏家切断电流
I
EBO
V
EB
= 7V ,我
C
=0
发射器切断电流
V
首席执行官
I
C
= 50mA时我
B
=0
集电极 - 发射极电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
开关时间
启动时间
贮存时间
下降时间
*h
FE
分类
*h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
f
T
C
ob
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.5A
I
C
= 2A ,我
B
= 0.2A
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.5A
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.5A
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
典型值
最大
100
100
300
1
1
60
100
单位
µA
µA
V
V
V
兆赫
pF
30
35
t
on
t
英镑
t
f
Y : 100 - 200
I
B1
= I
B2
= 0.2A
V
CC
= 30V
占空比< 1 %
GR : 150 - 300
0.65
1.30
0.65
µs
µs
µs
大陆设备印度有限公司
数据表
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