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CIL352图片预览
型号: CIL352
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内容描述: NPN硅平面型晶体管 [NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 137 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
NPN硅平面型晶体管
CIL351/352
TO-18
金属罐包装
绝对最大额定值
描述
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极电压
连续集电极电流
功率耗散@ T
a
=25ºC
减免上述25℃
功率耗散@ T
c
=25ºC
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
热特性
结到环境中的自由空气
结到外壳
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
价值
70
75
6.0
200
300
1.72
750
4.29
- 65 〜+ 200
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
ºC
R
号(j -a)的
R
日(J -C )
583
233
摄氏度/ W
摄氏度/ W
电气特性(T
a
= 25ºC除非另有规定)
描述
符号测试条件
V
首席执行官
I
C
= 1mA时,我
B
=0
集电极 - 发射极电压
V
CBO
I
C
= 100μA ,我
E
=0
集电极 - 基极电压
V
EBO
I
E
= 100μA ,我
C
=0
发射极电压
收藏家切断电流
直流电流增益
I
CBO
h
FE
V
CB
= 20V ,我
E
=0
I
C
= 1mA时, V
CE
=10V
CIL351
CIL352
I
C
= 10毫安,我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
基极发射极电压
动态特性
描述
跃迁频率
V
BE(上)
I
C
= 10毫安,V
CE
=5V
70
75
6.0
典型值
最大
单位
V
V
V
25
100
200
250
480
0.25
0.60
1.0
nA
集电极 - 发射极饱和电压
*V
CE (SAT)
V
V
V
符号
f
T
测试条件
I
C
= 10毫安,V
CE
=5V,
f=100MHz
典型值
100
最大
单位
兆赫
*脉冲条件:脉冲宽度<300μs ,占空比<2 %
µ
CIL351_352Rev_1 120504E
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3