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CJF102 参数 Datasheet PDF下载

CJF102图片预览
型号: CJF102
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内容描述: 硅平面功率达林顿晶体管 [SILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管达林顿晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 298 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 , ISO 9001和ISO 14001认证的公司
硅平面功率达林顿晶体管
NPN
PNP
CJF100 CJF105
CJF101 CJF106
CJF102 CJF107
TO- 220FP全隔离
塑料包装
达林顿功率线性和开关应用
绝对最大额定值
描述
符号
CJF100
CJF105
60
60
CJF101
CJF106
80
80
5.0
3500
1500
8.0
15
1.0
80
0.64
2.0
0.016
- 65 〜+ 150
CJF102
CJF107
100
100
单位
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
RMS的隔离电压(对于1秒,相对湿度
<30 % ,T
A
=25ºC )
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
总功率耗散@ T
C
=25ºC
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
=25ºC
减免上述25℃
操作
存储结
温度范围
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
(1) V
ISOL
(a)
(b)
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
T
j
, T
英镑
V
V
V
V
RMS
A
A
W
W / ℃,
W
W / ℃,
ºC
( 1 ) rms隔离电压: (一) 3500 V
RMS
与包中夹安装位置(B ) 1500 V
RMS
在包
螺丝安装位置( 1秒, RH<30 %的Ta = 25℃ ;脉冲测试:脉冲宽度< / = 300μS ,占空比Cycle< / = 2 % )
热阻
特征
从结点到环境
从结点到外壳
符号
R
号(j -a)的
R
日(J -C )
最大
62.5
1.56
单位
摄氏度/ W
摄氏度/ W
电气特性(T
C
= 25ºC除非另有规定)
描述
集电极发射极电压维持
符号
V
CEO ( SUS)
*
测试条件
I
C
= 30mA时我
B
=0
CJF100/105
CJF101/106
CJF102/107
V
CE
= I / 2为V
首席执行官
, I
B
=0
V
CB
=额定V
CBO
, I
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
最大
单位
集电极截止
关闭
当前
发射器切割
关闭
当前
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
60
80
100
-
-
-
-
-
-
50
50
8.0
V
V
V
µA
µA
mA
大陆设备印度有限公司
数据表
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