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CL100 参数 Datasheet PDF下载

CL100图片预览
型号: CL100
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内容描述: NPN硅平面型晶体管 [NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 48 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克# QSC / L- 000019.2
NPN硅平面型晶体管
CL 100 , A,B
CK 100 , A,B
TO-39
金属罐包装
CL100和CK 100是中等功率晶体管适宜人群Awide范围
中压和电流放大器的应用。
互补的CK100 , A,B
绝对最大额定值(Ta = 25℃除非另有规定)
描述
符号
V
CER
集电极发射极电压
V
CBO
集电极基极电压
发射极电压
集电极电流连续
功率耗散@大= 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ T = 25℃
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
V
EBO
I
CM
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
价值
50
60
5
1
800
5.33
3
20
-55到+175
单位
V
V
V
A
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
电气特性(Ta = 25℃除非另有规定)
描述
符号测试条件
集电极发射极击穿电压
BV
CER
* I
C
= 10毫安,我
B
=0
集电极基极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家泄漏电流
射极漏泄电流
直流电流增益
基极发射极电压
集电极 - 发射极(星期六)电压
分类
的hFE
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
E
= 100μA ,我
C
=0
V
CB
= 40V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
E
=0
I
C
=150mA,V
CE
=10V
50
60
5
典型值
最大
单位
V
V
V
50
1
40
300
0.9
0.6
nA
µA
V
V
V
BE
(上) * V
CE
= 1V ,我
C
=150mA,
V
CE
(SAT) * I
C
=150mA,I
B
=15mA
A
40-120
B
100-300
*脉冲条件: PW <300us ,占空比< 2 %
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3