大陆设备印度有限公司
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硅平面双开关二极管
CMBD2835
CMBD2836
SOT-23
形成SMD封装
3
引脚配置
1 =阴极
2 =阴极
3 =阳极
1
2
记号
CMBD2835 - A3
CMBD2836 - A2
高速开关双二极管，共阳极
绝对最大额定值
描述
反向电压
CMBD2835
CMBD2836
正向电流
器件总耗散T
a
=25ºC *
减免上述25
o
C
热阻结到
环境
器件总耗散T
a
=25ºC **
o
减免上述25℃
热阻结到
环境
结温和存储温度
符号
V
R
I
F
P
D
R
号（j -a）的
P
D
R
号（j -a）的
T
j
, T
英镑
价值
35
75
100
225
1.8
556
300
2.4
417
- 55 〜+ 150
单位
V
V
mA
mW
o
毫瓦/ C
o
C / W
mW
毫瓦/
o
C
o
C / W
o
C
* FR - 5局= 25.4 X 19.05 X 1.58毫米（ 1.0× 0.75× 0.062英寸）
**氧化铝基板= 10.16 X 7.62 X 0.61毫米（ 0.4× 0.3× 0.024英寸） 99.5 ％的氧化铝。
电气特性（T
a
= 25° C除非另有说明）
描述
反向击穿电压
符号
V
BR
测试条件
I
R
=100µA
CMBD2835
CMBD2836
反向电压漏电流
I
R
CMBD2835
V
R
=30V
CMBD2836
V
R
=50V
二极管电容
正向电压
C
T
V
F
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 100毫安
I
F
=I
R
= 10毫安，我
R（ REC ）
= 1.0毫安
数据表
民
35
75
典型值
最大
单位
V
V
100
nA
100
4.0
1.0
1.0
1.2
4.0
nA
pF
V
V
V
ns
第1页3
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t
rr
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