大陆设备印度有限公司
在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
PNP外延平面硅晶体管
引脚配置（ PNP ）
1 - 基地
2 - 发射极
3 - 集电极
CMBT200
CMBT200A
SOT23
标记：如下
3
1
2
专为通用放大器应用。
绝对最大额定值（Ta = 25deg C除非另有说明）
描述
符号
价值
VCBO
60
集电极基极电压
VCEO
45
集电极发射极电压
VEBO
6.0
发射极电压
IC
500
连续集电极电流 -
PD
350
功耗
2.8
减免上述= 25℃
TJ ， TSTG
-55到+150
工作和存储结
温度范围
热阻
值（Rth J-一）
357
结到环境
电气特性（ TA = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
民
最大
VCBO
IC = 10uA的， IE = 0
60
-
集电极基极电压
VCEO
IC = 1mA时， IB = 0
45
-
集电极发射极电压
VEBO
IE =为10uA ， IC = 0
6.0
-
发射极电压
ICBO
VCB = 50V ， IE = 0
-
50
收藏家切断电流
冰
VCE = 4V ， IE = 0
-
50
IEBO
VEB = 4V ， IC = 0
-
50
发射器切断电流
的hFE
IC=100uA,VCE=1V
CMBT200
80
-
直流电流增益
CMBT200A
240
-
IC=10mA,VCE=1V
CMBT200
CMBT200A
CMBT200A
CMBT200
CMBT200A
100
300
100
100
100
450
600
-
350
-
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/摄氏度
摄氏度
摄氏度/ W
单位
V
V
V
nA
nA
nA
IC=100mA,VCE=1V*
IC=150mA,VCE=5V*
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数据表
第1页3
CDIL [ Continental Device India Limited ]
