CMBT5089 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CMBT5089
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内容描述：	NPN硅平面外延晶体管 [NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管局域网
文件页数/大小：	3 页 / 90 K
品牌：	CDIL [ Continental Device India Limited ]

大陆设备印度有限公司

通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司

SOT- 23形成SMD封装

CMBT5088

CMBT5089

NPN硅平面外延晶体管

N-P -N晶体管

记号

CMBT5088 = 1Q

CMBT5089 = 1R

包装外形细节

在M中所有尺寸

引脚配置

1 - 基地

2 - 发射极

3 - 集电极

绝对最大额定值

5088

5089

集电极 - 基极电压（发射极开路）

集电极 - 发射极电压（开基）

集电极电流

总功率耗散高达至T

AMB

= 25 °C

结温

集电极 - 发射极饱和电压

= 10毫安;我

= 1毫安

直流电流增益

= 100 μA ; V

= 5 V

跃迁频率在f = 20 MHz的

= 500 μA ; V

= 5 V

* FR - 5局= 1.0 × 0.75 × 0.062英寸

CB0

CE0

合计

CESAT

马克斯。

225

150

0.5

30 V

25 V

°C

400

1200

分钟。 300

最大。 900

分钟。

兆赫

大陆设备印度有限公司

数据表

第1页3

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