CMBT5401 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CMBT5401
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内容描述：	硅P-N -P的高压晶体管 [SILICON P-N-P HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管高压
文件页数/大小：	3 页 / 106 K
品牌：	CDIL [ Continental Device India Limited ]

大陆设备印度有限公司

通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司

SOT- 23形成SMD封装

CMBT5401

硅P-N -P的高压晶体管

P- N-P晶体管

记号

CMBT5401 = 2L

包装外形细节

在M中所有尺寸

引脚配置

1 - 基地

2 - 发射极

3 - 集电极

绝对最大额定值

集电极 - 基极电压（发射极开路）

集电极 - 发射极电压（开基）

集电极电流

总功率耗散高达至T

AMB

= 25°C

集电极 - 发射极饱和电压

= 50毫安;我

= 5毫安

直流电流增益

= 10毫安; V

= –5 V

评级

（在T

= 25 ° C除非另有规定编）

极限值

集电极 - 基极电压（发射极开路）

集电极 - 发射极电压（开基）

发射极 - 基极电压（集电极开路）

集电极电流

–V

CBO

–V

首席执行官

–I

合计

CESAT

马克斯。

最大

马克斯。

160

150

500

250

0,5 V

60〜 240

–V

CBO

–V

首席执行官

–V

EBO

–I

马克斯。

160

150

500

大陆设备印度有限公司

数据表

第1页3

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