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    CMBT5550 参数 Datasheet PDF下载

    CMBT5550图片预览
    型号： CMBT5550
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N-P - N高电压晶体管 [SILICON N-P-N HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 105 K
    品牌： CDIL [ Continental Device India Limited ]
     浏览型号CMBT5550的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CMBT5550的Datasheet PDF文件第3页  
    大陆设备印度有限公司
    通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
    SOT- 23形成SMD封装
    CMBT5550
    硅N-P - N高电压晶体管
    N-P -N晶体管
    记号
    CMBT5550 = 1F
    包装外形细节
    在M中所有尺寸
    m
    引脚配置
    1 - 基地
    2 - 发射极
    3 - 集电极
    3
    1
    2
    绝对最大额定值
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（开基）
    集电极电流
    总功率耗散高达至T
    AMB
    = 25°C
    集电极 - 发射极饱和电压
    I
    C
    = 50毫安;我
    B
    = 5毫安
    直流电流增益
    I
    C
    = 10毫安; V
    CE
    = 5 V
    评级
    （在T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    极限值
    集电极 - 基极电压（发射极开路）
    集电极 - 发射极电压（开基）
    发射极 - 基极电压（集电极开路）
    集电极电流
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    I
    C
    P
    合计
    V
    CESAT
    h
    FE
    马克斯。
    马克斯。
    马克斯。
    最大
    马克斯。
    160
    140
    600
    250
    V
    V
    mA
    mW
    0.25 V
    60至250
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    马克斯。
    马克斯。
    马克斯。
    马克斯。
    160
    140
    6
    600
    V
    V
    V
    mA
    大陆设备印度有限公司
    数据表
    第1页3

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