大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
NPN硅平面外延晶体管
引脚配置（ NPN ）
1 - 基地
2 = E M伊特尔
3 - 集电极
CMBT8098
CMBT8099
SOT-23
形成SMD封装
3
1
2
记号
CMBT8098- KA
CMBT8099- KB
绝对最大额定值
描述
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
连续集电极电流
功率耗散T
a
= 25°C （注1）
减免上述25℃
功率耗散T
a
= 25°C （注2 ）
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
热阻
结到环境（注1）
结到环境（注2 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
j
,T
英镑
CMBT8098
60
60
6.0
500
225
1.8
300
2.4
- 55 〜+ 150
CMBT8099
80
80
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/℃
mW
毫瓦/℃
ºC
R
号（j -a）的
R
号（j -a）的
556
417
摄氏度/ W
摄氏度/ W
注（1） FR - 5局= 25.4 X 19.05 X 1.58毫米（ 1.0× 0.75× 0.062英寸。 ）
注（2 ）氧化铝基板= 10.16 X 7.62 X 0.61毫米（ 0.4× 0.3× 0.024英寸。 ） 99.5 ％的氧化铝。
电气特性（T
a
= 25° C除非另有说明）
描述
集电极 - 基极电压
符号
V
CBO
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
=0
CMBT8098
CMBT8099
I
C
= 10毫安，我
B
=0
CMBT8098
CMBT8099
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CE
= 60V ，我
B
=0
CMBT8098
V
CB
= 60V ，我
E
=0
CMBT8099
V
CB
= 80V ，我
E
=0
V
EB
= 6V ，我
C
=0
民
60
80
60
80
6.0
0.1
0.1
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
µA
µA
µA
µA
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
发射极电压
收藏家切断电流
收藏家切断电流
V
EBO
I
CES
I
CBO
发射器切断电流
I
EBO
0.1
0.1
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数据表
第1页4
CDIL [ Continental Device India Limited ]
