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CMBT8550C 参数 Datasheet PDF下载

CMBT8550C图片预览
型号: CMBT8550C
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内容描述: PNP硅平面外延型晶体管 [PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 175 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
PNP硅平面外延型晶体管
引脚配置( PNP )
1 - 基地
2 = EM伊特尔
3 - 集电极
CMBT8550
SOT-23
形成SMD封装
3
1
2
绝对最大额定值
描述
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
连续集电极电流
集电极耗散@ T
a
=25ºC
工作和存储结
温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
, T
英镑
价值
30
25
6
800
250
- 55〜 + 125
单位
V
V
V
mA
mW
ºC
电气特性(T
a
= 25ºC除非另有规定)
描述
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
直流电流增益
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 15V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
I
C
= 5毫安,V
CE
=1V
*I
C
= 100mA时V
CE
=1V
I
C
= 500毫安,V
CE
=1V
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
I
C
= 100mA时V
CE
= 10V , F = 100MHz的
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
C
100 - 200
55C
100
35
E
280 - 400
55E
30
25
6
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
50
500
45
100
40
400
0.5
1.2
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
分类
*h
FE
记号
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
CMBT8550
100 - 400
55
V
V
兆赫
pF
D
150 - 300
55D
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3