大陆设备印度有限公司
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PNP外延平面硅晶体管
引脚配置（ PNP ）
1 - 基地
2 - 发射极
3 - 集电极
CMBT857
SOT23
标记：如下
3
1
2
绝对最大额定值
描述
符号
价值
单位
V
V
V
mA
mW
摄氏度
摄氏度
最大
-
100
100
500
-
0.30
1.0
-
-
20
单位
V
nA
nA
VCBO
60
集电极基极电压
VCEO
50
集电极发射极电压
VEBO
6.0
发射极电压
IC
200
集电极电流
PC
200
集电极耗散功率
Tj
125
结温
TSTG
-55到+125
储存温度
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
民
典型值
VCEO
IC = 100uA的， IB = 0
50
-
集电极发射极电压
ICBO
VCB = 60V ， IE = 0
-
-
收藏家切断电流
IEBO
VEB = 6V ， IC = 0
-
-
发射器切断电流
hFE(1)
IC=1mA,VCE=6V
150
-
直流电流增益
hFE(2)
IC=0.1mA,VCE=6V
90
-
VCE （星期六） IC = 100mA时IB = 10毫安
-
-
集电极 - 发射极饱和电压
VBE （星期六） IC = 100mA时IB = 10毫安
-
-
基极发射极饱和电压
动态特性
ft
VCE=6V,IC=10mA,
-
200
跃迁频率
COB
VCB = 6V ， IE = 0
-
4.0
集电极输出电容
f=1MHz
NF
VCE = 6V ， IE = 0.3毫安
-
-
噪声系数
F = 100Hz的， RG = 10kohms
分类
E
F
hFE(1)
150-300
250-500
记号
PE
PF
V
V
兆赫
pF
dB
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数据表
第1页3
CDIL [ Continental Device India Limited ]
