大陆设备印度有限公司
在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
NPN硅平面晶体管
引脚配置（ NPN ）
1 - 基地
2 - 发射极
3 - 集电极
CMBT 9013
SOT-23
标记：如下
3
1
2
绝对最大额定值
描述
集电极基极电压
集电极发射极电压
发射极电压
连续集电极电流
集电极耗散
工作和存储结
温度范围
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
TJ ， TSTG
价值
35
30
5.0
500
250
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
摄氏度
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
VCBO
IC = 100uA的， IE = 0
集电极基极电压
VCEO
IC = 1mA时， IB = 0
集电极发射极电压
VEBO
IE =为100uA ， IC = 0
发射极电压
ICBO
VCB = 25V ， IE = 0
收藏家切断电流
IEBO
VEB = 3V ， IC = 0
发射器切断电流
的hFE
IC = 50mA时VCE = 1V *
直流电流增益
IC=300mA,VCE=1V
VCE （星期六） IC = 150毫安， IB = 15毫安
集电极 - 发射极饱和电压
IC=300mA,IB=30mA
VBE （星期六） IC = 150毫安， IB = 15毫安
基极发射极饱和电压
IC=300mA,IB=30mA
动态特性
ft
VCE=10V,IC=50mA,
跃迁频率
f=100MHz
分类
的hFE *
记号
G / H / I
118-305
3GI
民
35
30
5.0
-
-
118
40
-
-
-
-
140
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
100
500
305
-
0.20
0.60
1.0
1.20
-
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
兆赫
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3
CDIL [ Continental Device India Limited ]
