大陆设备印度有限公司
在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
NPN硅平面晶体管
引脚配置（ NPN ）
1 - 基地
2 - 发射极
3 - 集电极
CMBT9014
SOT-23
标记：如下
3
1
2
绝对最大额定值
描述
集电极基极电压
集电极发射极电压
发射极电压
集电极电流
集电极耗散
工作和存储结
温度范围
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
TJ ， TSTG
价值
30
30
5.0
100
250
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
摄氏度
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
民
VCBO
IC = 100uA的， IE = 0
30
集电极基极电压
VCEO
IC = 1mA时， IB = 0
30
集电极发射极电压
VEBO
IE =为100uA ， IC = 0
5.0
发射极电压
ICBO
VCB = 30V ， IE = 0
-
收藏家切断电流
IEBO
VEB = 5V ， IC = 0
-
发射器切断电流
的hFE
IC = 1mA时， VCE = 5V
150
直流电流增益
VCE （星期六） IC = 100mA时IB = 5毫安
-
集电极 - 发射极饱和电压
VBE （星期六） IC = 100mA时IB = 5毫安
-
基极发射极饱和电压
动态特性
跃迁频率
输出电容
噪声系数
分类
的hFE
记号
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
15
500
1000
0.60
1.2
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
ft
COB
NF
VCE=5V,IC=10mA,
f=100MHz
VCB=10V,f=1MHz
125
-
-
C
200-600
14C
-
-
-
-
3.5
4.0
D
400-1000
14D
兆赫
pF
dB
VCE = 5V ， IC = 200uA
f=1kHz
CMBT9014
B
150-1000
100-300
14
14B
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数据表
第1页3
CDIL [ Continental Device India Limited ]
