大陆设备印度有限公司
在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
NPN硅平面外延型晶体管
引脚配置（ NPN ）
1 - 基地
2 = EM伊特尔
3 - 集电极
CMBTA44
SOT-23
形成SMD封装
3
1
2
标识代码是= 3Z
专为极端高电压应用
绝对最大额定值（T
a
=25ºC)
描述
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
集电极耗散功率
工作和存储结
温度范围
热阻
结到环境中的自由空气
V
EBO
I
C
P
D
T
j,
T
英镑
价值
450
400
6
300
350
- 65至+ 150
单位
V
V
V
mA
mW
ºC
R
号（j -a）的
357
摄氏度/ W
电气Characterstics （T
a
= 25ºC除非另有规定）
描述
收藏家切断电流
收藏家切断电流
发射器切断电流
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极发射极饱和
电压
符号
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
条件
V
CB
= 400V ，我
E
=0
V
CE
=400V, V
BE
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 100μA ，V
BE
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0.1mA
V
CE （ SAT ）
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
V
CE
= 10V ，我
C
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
=50mA
V
CE
= 10V ，我
C
=100mA
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安， F = 10MHz时
V
CB
= 20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
EB
= 0.5V ， IC = 0 ， F = 1MHz的
数据表
民
典型值
最大
100
500
100
单位
nA
nA
nA
V
V
V
V
450
450
400
6
0.40
0.50
0.75
0.75
40
50
45
20
20
V
V
V
V
基极发射极饱和电压
直流电流增益
V
BE （ SAT ）
h
FE
200
跃迁频率
输出电容
输入电容
大陆设备印度有限公司
f
T
C
ob
C
ib
7.0
130
兆赫
pF
pF
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CDIL [ Continental Device India Limited ]
