大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
NPN硅平面外延型晶体管
引脚配置（ NPN ）
1 - 基地
2 = EM伊特尔
3 - 集电极
CMBTH10
SOT-23
形成SMD封装
3
1
2
标识代码= 3E
甚高频/超高频晶体管
绝对最大额定值
描述
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极电压
热特性
*设备损耗FR- 5局，T
a
=25ºC
减免上述= 25℃
热阻结到环境中的自由空气
**设备损耗氧化铝基板，T
a
=25ºC
减免上述= 25℃
热阻结到环境中的自由空气
R
号（j -a）的
R
号（j -a）的
P
D
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
价值
25
30
3.0
单位
V
V
V
P
D
225
1.8
556
300
2.4
417
mW
毫瓦/℃
° C /毫瓦
mW
毫瓦/℃
° C /毫瓦
ºC
T
j,
T
英镑
150
结温和存储温度
* FR - 5局= 25.4 X 19.05 X 1.58毫米（ 1.0× 0.75× 0.062英寸）
**氧化铝基板= 10.16 X 7.62 X 0.61毫米（ 0.4× 0.3× 0.024英寸） 99.5 ％的氧化铝。
电气Characterstics （T
a
= 25ºC除非另有规定）
描述
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极电压
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
条件
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
= 25V ，我
E
=0
V
EB
= 2V ，我
C
=0
V
CE
= 10V ，我
C
=4mA
I
C
= 4mA时我
B
=0.4mA
V
CE
= 10V ，我
C
=4mA
60
0.50
0.95
民
25
30
3
100
100
最大
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
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数据表
第1页4
CDIL [ Continental Device India Limited ]
