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CMBZ5259B 参数 Datasheet PDF下载

CMBZ5259B图片预览
型号: CMBZ5259B
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内容描述: SILIICON平面齐纳二极管 [SILIICON PLANAR ZENER DIODES]
分类和应用: 二极管齐纳二极管测试光电二极管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 108 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 , ISO 9001和ISO 14001认证的公司
SILIICON平面齐纳二极管
3
3
CMBZ5229B到CMBZ5261B
4.3V至47V
引脚配置
1 =阳极
2 - NC
3 =阴极
SOT-23
形成SMD封装
2
1
1
2
低压通用稳压二极管。
绝对最大额定值(T
a
=25°C)
描述
工作电压范围
工作电压容差
功率耗散高达牛逼
a
=25ºC
减免上述25℃
热阻结到环境
功率耗散高达牛逼
a
=25ºC
减免上述25℃
热阻结到环境
结温
储存温度
R
号(j -a)的
T
j
T
英镑
R
号(j -a)的
**P
合计
*P
合计
符号
V
Z
价值
4.3〜 47
+5
300
2.4
417
225
1.8
556
150
- 55 〜+ 150
单位
V
%
mW
毫瓦/℃
° C /毫瓦
mW
毫瓦/℃
° C /毫瓦
°C
°C
*安装在尺寸8mm x至10mm× 0.7mm的氧化铝陶瓷器件
**装置安装在FR5印刷 - 电路板
在我正向电压
F
= 10毫安VF < 0.9 V & VF在200毫安<1.5V
电气特性(T
a
= 25ºC除非另有规定)
Z
ZK
Z
ZT
设备
齐纳
TEST
I
Z
=0.25mA
I
Z
=I
ZT
电压
当前
V
Z
( + 5%)
I
ZT
以10 %模数
Note1
最大
最大
公称
mA
4.3
20
CMBZ5229B
2000
22
20
4.7
CMBZ5230B
1900
19
20
5.1
CMBZ5231B
1600
17
20
5.6
CMBZ5232B
1600
11
20
6.0
CMBZ5233B
1600
7
20
6.2
CMBZ5234B
1000
7
20
6.8
CMBZ5235B
750
5
7.5
20
CMBZ5236B
500
6
8.2
20
CMBZ5237B
500
8
8.7
20
CMBZ5238B
600
8
9.1
20
CMBZ5239B
600
10
10
20
CMBZ5240B
600
17
11
20
CMBZ5241B
600
22
12
20
CMBZ5242B
600
30
13
9.5
CMBZ5243B
600
13
9.0
14
CMBZ5244B
600
15
注1 :脉冲测试20毫秒< TP < 50毫秒
I
R
T
a
= 25ºC
最大
µ
A
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.1
在V
R
记号
V
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
10
8D
8E
8F
8G
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
8Q
8R
8S
8T
8U
CMBZ5229B_61BRev_1 290306E
大陆设备印度有限公司
数据表
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