大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
PNP外延平面硅晶体管
引脚配置（ PNP ）
1 - 基地
2 - 发射极
3 - 集电极
CMMT591A
SOT-23
标记： 59A
3
1
2
补充CMMT491A
绝对最大额定值
描述
符号
VCBO
集电极基极电压
VCEO
集电极发射极电压
VEBO
发射极电压
ICM
峰值脉冲电流
IC
连续集电极电流
IB
基极电流
P合计
功耗@环境温度Tamb = 25℃
TJ ， TSTG
工作&存储温度范围
电气特性（Ta = 25℃ ）
描述
符号
VCBO
集电极基极电压
VCEO
集电极发射极电压
VEBO
发射极电压
ICBO
收藏家切断电流
IEBO
发射器切断电流
冰
集电极 - 发射极断路开关电流
VCE （星期六） *
集电极 - 发射极饱和电压
价值
40
40
5.0
2.0
1.0
200
500
-55到+150
民
40
40
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
300
300
250
160
30
150
最大
-
-
-
100
100
100
0.20
0.35
0.50
1.1
1.0
-
800
-
-
-
-
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
摄氏度
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
基极发射极饱和电压
基极发射极电压
直流电流增益
测试条件
IC = 100uA的， IE = 0
IC = 10毫安， IB = 0
IE =为100uA ， IC = 0
VCB = 30V ， IE = 0
VEB = 4V ， IC = 0
VCE = 30V ， VBE = 0
IC=100mA,IB=1mA
IC=500mA,IB=20mA
IC = 1A ， IB =百毫安
VBE （星期六） * IC = 1A ， IB = 50毫安
VBE （ ON） * IC = 1A ， VCE = 5V
的hFE
IC=1mA,VCE=5V
IC=100mA,VCE=5V*
IC=500mA,VCE=5V*
IC = 1A ， VCE = 5V *
IC = 2A ， VCE = 5V *
ft
VCE=10V,IC=50mA,
f=100MHz
VCB = 10V ， IE = 0
f=1MHz
动态特性
跃迁频率
兆赫
输出电容
科博
-
10
pF
*脉冲条件脉冲宽度= 300US ，占空比= 2 ％
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数据表
第1页3
CDIL [ Continental Device India Limited ]
