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CMMT591 参数 Datasheet PDF下载

CMMT591图片预览
型号: CMMT591
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内容描述: 硅平面外延晶体管 [SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 138 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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CMMT591
评级
(在T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
极限值
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(开基)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值脉冲电流
基极电流
在T总功率耗散
AMB
= 25°C
储存温度
结温
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
-55〜
马克斯。
80
60
5
1
2
200
500
+150
150
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
°C
特征
(在T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
集电极截止电流
I
E
= 0; V
CB
= 60 V
I
CBO
V
BE
= 0; V
CE
= 60 V
I
CES
发射极截止电流
V
EB
= 4 V ;我
C
= 0
击穿电压
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
I
C
= 100 μA ;我
E
= 0
I
E
= 100 μA ;我
C
= 0
基射极电压
I
C
= 1 ; V
CE
= 5 V
饱和电压
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
C
= 1 ;我
B
= 100毫安
I
C
= 1 ;我
B
= 100毫安
直流电流增益
I
C
= 1毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 5 V*
I
C
= 1 ; V
CE
= 5 V*
I
C
= 2 A; V
CE
= 5 V*
集电极电容在f = 1 MHz的
I
E
= 0; V
CB
= 10 V
跃迁频率在f = 100 MHz的
I
C
= 50毫安; V
CE
= 10 V
C
ob
f
T
I
EBO
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
BE
*
马克斯。
马克斯。
马克斯。
分钟。
分钟。
分钟。
马克斯。
100 nA的
100 nA的
100 nA的
60 V
80 V
5 V
1 V
300毫伏
600毫伏
1.2 V
100
100
300
80
15
10 pF的
150兆赫
V
CESAT
*最大。
马克斯。
V
BESAT
*最大。
h
FE
分钟。
分钟。
马克斯。
分钟。
分钟。
马克斯。
分钟。
脉冲宽度= 300微秒,占空比= 2 % : *脉冲条件下进行测定。
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