大陆设备印度有限公司
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NPN硅塑力达林顿晶体管
CN1016
(9AW)
TO-3P
标记： -
CN
1016
绝对最大额定值（Ta = 25deg C）
描述
符号
价值
VCBO
160
集电极基极电压
VCEO
150
集电极发射极电压
VEBO
5.0
发射极电压
IC
10
集电极电流
ICP
15
山顶T = 30毫秒
IB
1.0
基极电流
60
集电极耗散功率@ TC = 25℃
PC
Tj
150
结温
TSTG
-55到+150
存储温度范围
电气特性（TA = 25℃除非指定）
描述
符号测试条件
民
典型值
ICBO
VCB = 160V ， IE = 0
-
-
收藏家切断电流
IEBO
VEB = 5V ， IC = 0
-
-
发射器切断电流
VCEO
IC = 30mA时IB = 0
150
-
集电极 - 发射极电压
的hFE
IC = 6A ， VCE = 4V
2.0
-
直流电流增益
IC = 10A ， VCE = 4V
1.0
-
VCE （星期六） IC = 6A ， IB = 6毫安
-
-
集电极 - 发射极饱和电压
VBE （星期六） IC = 6A ， IB = 6毫安
-
-
基极发射极饱和电压
动态特性
ft
VCE = 12V ， IC = 1A ，
-
80
跃迁频率
COB
VCB = 10V ， IE = 0
-
85
集电极输出电容
f=1MHz
单位
V
V
V
A
A
A
W
摄氏度
摄氏度
最大
100
3.0
-
20
-
2.5
3.0
-
-
单位
uA
mA
V
K
K
V
V
兆赫
pF
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数据表
第1页2
CDIL [ Continental Device India Limited ]
