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CN302 参数 Datasheet PDF下载

CN302图片预览
型号: CN302
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内容描述: NPN硅平面外延晶体管 [NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 5 页 / 133 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949和ISO 9001认证的制造商
NPN硅平面外延晶体管
CN300 /三百零二分之三百零一
CN303 / 304
TO-92
塑料包装
E
BC
通用音频晶体管
补充CP500系列
绝对最大额定值
描述
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极连续电流
基极电流
功率耗散@ T
a
=25ºC
工作和存储结
温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
, T
英镑
CN300
25
25
CN301
35
35
5
500
100
300
- 65 〜+ 150
CN302
35
35
CN303
45
45
CN304
70
70
单位
V
V
V
mA
mA
mW
ºC
电气特性(T
a
= 25ºC除非另有规定)
描述
符号
测试条件
I
CBO
V
CB
=V
CB
(最大)
收藏家切断电流
发射器切断电流
集电极 - 发射极电压
I
EBO
V
首席执行官
V
EB
= 4V ,我
C
= 0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
CN300
CN301/CN302
CN303
CN304
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
CN300/303/304
CN301/CN302
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 100μA ,V
CE
=6V
CN302
I
C
= 10毫安,V
CE
=6V
CN300/301/303/304
CN302
I
C
= 50mA时V
CE
=6V
CN302
*脉冲条件:脉冲宽度= 300μS ,占空比< 2 % 。
µ
CN300_304Rev_1 211204E
最大
200
200
单位
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
25
35
45
70
0.35
0.25
1.0
集电极 - 发射极饱和电压
*V
CE (SAT)
基极发射极饱和电压
直流电流增益
*V
BE (SAT)
*h
FE
0.65
20
50
100
50
300
300
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页5