大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949和ISO 9001认证的制造商
NPN硅平面外延晶体管
CN450 / CN451
TO-92
塑料包装
E
BC
通用晶体管专为中小型信号放大
从D.C到无线电频率
补充CP550和CP551
绝对最大额定值
描述
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
功率耗散@ T
a
=25ºC
功率耗散@ T
a
=25ºC
功率耗散@ T
c
=25ºC
工作和存储结
温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
*P
D
P
D
T
j
, T
英镑
CN450
60
45
5.0
2.0
1.0
200
0.8
1.0
2.0
- 65 〜+ 150
CN451
80
60
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
W
ºC
*安装在印刷电路板上晶体管。导线长度4毫米，安装垫集电极分钟。
为10mm× 10mm时，铜
电气特性（T
a
= 25ºC除非另有规定）
描述
符号
测试条件
I
CBO
V
CB
= 45V ，我
E
=0
收藏家切断电流
V
CB
= 60V ，我
E
=0
发射器切断电流
基极发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极电压
直流电流增益
动态特性
描述
跃迁频率
输出电容
CN450_451Rev_2 211204E
CN450
<100
<100
<0.25
<1.1
>45
100 - 300
>15
CN451
<100
<100
<0.35
<1.1
>60
50 - 150
>10
单位
nA
nA
nA
V
V
V
I
EBO
**V
CE （SAT）
**V
BE （SAT）
V
首席执行官
**h
FE
V
EB
= 4V ，我
C
=0
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 1mA时，我
B
=0
V
CE
= 10V ，我
C
=150mA
V
CE
= 10V ，我
C
=1A
测试条件
V
CE
= 10V ，我
C
=50mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
符号
f
T
C
敖包
CN451
>150
<15
CN452
>150
<15
单位
兆赫
pF
**脉象：脉冲宽度= 300μS ，占空比< 2 ％ 。
µ
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数据表
第1页4
CDIL [ Continental Device India Limited ]
