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CN453 参数 Datasheet PDF下载

CN453图片预览
型号: CN453
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内容描述: NPN硅平面外延晶体管 [NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 131 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949和ISO 9001认证的制造商
NPN硅平面外延晶体管
CN452 / CN453
TO-92
塑料包装
E
BC
通用晶体管专为中小型信号放大
从D.C到无线电频率
补充CP552和CP553
绝对最大额定值
描述
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
功率耗散@ T
a
=25ºC
功率耗散@ T
a
=25ºC
功率耗散@ T
c
=25ºC
工作和存储结
温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
*P
D
P
D
T
j
, T
英镑
CN452
100
80
5.0
2.0
1.0
200
0.8
1.0
2.0
- 65 〜+ 150
CN453
120
100
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
W
ºC
*安装在印刷电路板上晶体管。铅长4mm ,安装垫集电极分钟
至10mm× 10mm时,铜
电气特性(T
a
= 25ºC除非另有规定)
描述
符号
测试条件
I
CBO
V
CB
= 80V ,我
E
= 0
收藏家切断电流
V
CB
= 100V ,我
E
= 0
发射器切断电流
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
集电极 - 发射极电压
直流电流增益
动态特性
描述
跃迁频率
输出电容
CN452_453Rev_2 211204E
CN452
<100
<100
<0.7
<1.3
>80
40 - 150
>10
CN453
<100
<100
<0.7
<1.3
>100
40 - 200
>10
I
EBO
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
V
首席执行官
*h
FE
V
EB
= 4V ,我
C
= 0
I
C
= 150毫安,我
B
=15mA
I
C
= 150毫安,我
B
=15mA
I
C
= 1mA时,我
B
=0
V
CE
= 10V ,我
C
=150mA
V
CE
= 10V ,我
C
=1A
测试条件
V
CE
= 10V ,我
C
=50mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
单位
nA
nA
nA
V
V
V
符号
f
T
C
敖包
CN452
>100
<15
CN453
>100
<15
单位
兆赫
pF
*脉冲条件:脉冲宽度= 300μS ,占空比< 2 % 。
µ
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页4