大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
PNP硅平面开关晶体管
引脚配置（ PNP ）
1 - 基地
2 - 发射极
3 - 集电极
CPBT720
SOT-23
标记： C20
3
1
2
绝对最大额定值
描述
符号
价值
VCBO
35
集电极基极电压
VCEO
40
集电极发射极电压
VEBO
5.0
发射极电压
ICM
4.0
峰值脉冲电流**
IC
1.50
连续集电极电流
IB
500
基极电流
P合计
350
功耗@环境温度Tamb = 25℃ *
TJ ， TSTG
-55到+150
工作和存储结
温度范围
*最大功耗计算时假定该设备是安装在陶瓷
底测量15x15x0.6mm
**在测量脉冲条件。脉冲宽度= 300US ，占空比= 2 ％
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
民
典型值
最大
VCBO
IC = 100uA的， IE = 0
40
-
集电极基极电压
* VCEO
IC = 10毫安， IB = 0
35
-
集电极发射极电压
VEBO
IE =为100uA ， IC = 0
5.0
-
发射极电压
ICBO
VCB = 35V ， IE = 0
-
-
100
收藏家切断电流
冰
VCE = 35V ， VEB = 0
-
-
100
IEBO
VEB = 4V ， IC = 0
-
-
100
发射器切断电流
VCE （星期六） * IC = 0.1A ， IB = 10毫安
-
-
50
集电极 - 发射极饱和电压
IC = 1A ， IB = 50毫安
-
-
350
IC = 1.5A ， IB =百毫安
-
-
500
VBE （星期六） * IC = 1.5A ， IB = 75毫安
-
1.5
基极发射极饱和电压
VBE （ ON） * IC = 1.5A ， VCE = 2V
-
-
1.0
基地发射器（上）电压
的hFE *
IC=10mA,VCE=2V
300
-
-
直流电流增益
IC=0.1A,VCE=2V
300
-
-
IC=1A,VCE=2V
180
-
-
IC=1.5A,VCE=2V
60
-
-
IC=3A,VCE=2V
12
-
-
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
动态特性
跃迁频率
CPBT720
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
摄氏度
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
V
V
民
单位
VCE=10V,IC=50mA,
f=100MHz
科博
VCB = 10V ， F = 1MHz的
输出电容
**在测量脉冲条件。脉冲宽度= 300US ，占空比= 2 ％
ft
150
-
-
-
-
25
兆赫
pF
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数据表
第1页3
CDIL [ Continental Device India Limited ]
