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    CSA1015GR 参数 Datasheet PDF下载

    CSA1015GR图片预览
    型号： CSA1015GR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP外延平面硅晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 88 K
    品牌： CDIL [ Continental Device India Limited ]
     浏览型号CSA1015GR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CSA1015GR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CSA1015GR的Datasheet PDF文件第4页  
    大陆设备印度有限公司
    在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
    PNP外延平面硅晶体管
    CSA1015
    TO-92
    塑料包装
    E
    CB
    音频通用和驱动级放大器的应用。
    补充CSC1815
    绝对最大额定值（T
    a
    = 25ºC除非另有规定）
    描述
    符号
    V
    CBO
    集电极 - 基极电压
    V
    首席执行官
    集电极 - 发射极电压
    发射极电压
    连续集电极电流
    基极电流
    集电极耗散功率
    工作和存储结
    温度范围
    热阻
    结到外壳
    V
    EBO
    I
    C
    I
    B
    P
    C
    T
    j
    , T
    英镑
    价值
    50
    50
    5
    150
    50
    625
    -55到+125
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    ºC
    R
    日（J -C ）
    250
    摄氏度/ W
    电气特性（T
    a
    = 25ºC除非另有规定）
    描述
    符号测试条件
    I
    CBO
    V
    CB
    = 50V ，我
    E
    =0
    收藏家切断电流
    发射器切断电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基极发射极饱和电压
    动态特性
    跃迁频率
    集电极输出电容
    基地扩展电阻
    噪声系数
    分类
    *h
    FE
    CSA1015REV_5 281202D
    民
    典型值
    最大
    100
    100
    400
    0.30
    1.1
    单位
    nA
    nA
    I
    EBO
    *h
    FE
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    = 0
    I
    C
    = 2毫安，V
    CE
    =6V
    I
    C
    = 150毫安，V
    CE
    =6V
    I
    C
    =100mA,I
    B
    = 10毫安
    I
    C
    =100mA,I
    B
    = 10毫安
    70
    25
    V
    V
    ft
    C
    ob
    RBB “
    NF
    O
    70 - 140
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =1mA,
    f=100MHz
    V
    CB
    =10V,I
    E
    =0,
    f=1MHz
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    =1mA,
    f=30MHz
    V
    CE
    = 6V ，我
    C
    =0.1mA,
    R
    g
    = 10Kohms中，f = 1KHz的
    Y
    120 - 240
    80
    7.0
    30
    10
    GR
    200 - 400
    兆赫
    pF
    Ω
    dB
    大陆设备印度有限公司
    数据表
    第1页4

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