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CSA562 参数 Datasheet PDF下载

CSA562图片预览
型号: CSA562
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内容描述: PNP硅外延晶体管 [PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 89 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
PNP硅外延晶体管
CSA562
TO-92
塑料包装
E
CB
音频频率低功耗运算放大器应用。
绝对最大额定值(T
a
= 25ºC除非另有规定)
价值
描述
符号
V
CBO
35
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
30
集电极 - 发射极电压
V
EBO
5
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
工作和存储结
温度范围
I
C
I
B
P
C
T
j
, T
英镑
500
100
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
ºC
电气特性(T
a
= 25ºC除非另有规定)
描述
符号
测试条件
I
CBO
V
CB
= 35V ,我
E
= 0
收藏家切断电流
I
EBO
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
发射器切断电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极电压
动态特性
集电极输出电容
跃迁频率
分类
*的hFE
**的hFE
*的hFE
**的hFE
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
I
C
= 100mA时V
CE
= 1V
I
C
= 400毫安,V
CE
= 6V
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
I
C
= 100mA时V
CE
= 1V
典型值
最大
100
100
240
0.25
1.0
单位
nA
nA
70
25
V
V
C
ob
f
t
V
CB
= 6V ,我
E
= 0,
F = 1MHz的
V
CE
= 6V ,我
C
= 20mA下
O : 70 - 140
○: 25分钟
13
200
Y : 120 - 240
Y: 40分钟
pF
兆赫
CSA562REV_1 281202D
大陆设备印度有限公司
数据表
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