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CSA708 参数 Datasheet PDF下载

CSA708图片预览
型号: CSA708
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内容描述: NPN / PNP外延平面硅晶体管 [NPN/PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 62 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克# QSC / L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
NPN / PNP外延平面硅晶体管
CSC1008 NPN
CSA708 PNP
TO-92
CBE
低频放大器。
绝对最大额定值(Ta = 25deg C除非另有说明)
描述
集电极基极电压
集电极发射极电压
发射极基极电压连续
集电极电流
集电极耗散
工作和存储结
温度范围
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
TJ , TSTG
价值
80
60
8.0
700
800
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
摄氏度
电气特性(Ta = 25℃除非另有说明)
描述
符号测试条件
CSC1008
VCBO
IC=100uA.IE=0
>80
集电极基极电压
VCEO
IC=10mA,IB=0
>60
集电极发射极电压
VEBO
IE =为100uA , IC = 0
>8.0
发射极 - 基极电压
ICBO
VCB = 60V , IE = 0
<100
集电极切断电流
IEBO
VEB = 5V , IC = 0
<100
射极切断电流
的hFE *
IC=50mA,VCE=2V
40-400
直流电流增益
<0.4
集电极 - 发射极饱和电压
VCE (星期六) * IC = 500毫安, IB = 50毫安
VBE (星期六) * IC = 500毫安, IB = 50毫安
<1.1
基极发射极饱和电压
动态特性
跃迁频率
出,将电容
CSA708
>80
>60
>8.0
<100
<100
40-240
<0.7
<1.1
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
ft
COB
IC = 50mA时VCE = 10V
VCB = 10V , IE = 0
f=1MHz
>30
typ8
typ50
typ13
兆赫
pF
*分类的hFE
CSC1008 R: 40 - 80
CSA708
R : 40 - 80
*脉冲测试: PW = 350us ,占空比= 2 %
O : 70 -140
O : 70 -140
Y : 120-240
Y : 120-240
G : 200-400
大陆设备印度有限公司
数据表
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